MOS管
强茂低压mos管PJQ4534P-AU
更新时间 2024-04-01 10:00
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强茂PJQ4534P-AU是一款30V N-Channel增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款产品采用DFN3333-8L封装,具有出色的电气性能,适用于多种电子应用场合。
应用领域
PJQ4534P-AU MOSFET因其高效、稳定的性能,在电源管理、电机驱动、电池保护、工业自动化等多个领域得到了广泛应用。其优异的热稳定性和电气特性使得它成为高可靠性应用的理想选择。
特征优势
PJQ4534P-AU MOSFET具有多项显著优势。首先,其低导通电阻RDS(ON)使得在相同工作条件下,功耗更低,效率更高。其次,它支持逻辑电平驱动,便于集成到各种控制电路中。此外,产品符合AEC-Q101标准,表明其适用于汽车级应用,且符合欧盟RoHS 2.0标准,保证了产品的环保性。
主要参数
PJQ4534P-AU MOSFET的主要参数如下表所示:
参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
---|---|---|---|
漏源电压 | VDS | 30 | V |
栅源电压 | VGS | ±20 | V |
漏极连续电流(TC=25°C) | ID | 38 | A |
漏极连续电流(TC=100°C) | ID | 27 | A |
脉冲漏极电流(TC=25°C) | IDM | 152 | A |
功耗(TC=25°C) | PD | 21.4 | W |
功耗(TC=100°C) | PD | 10.7 | W |
结温范围 | TJ,TSTG | -55~175 | °C |
热阻(结到壳) | RθJC | 7 | °C/W |
请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商