MOS管
强茂低压mos管PJQ5520-AU
更新时间 2024-04-02 10:04
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产品概述
PJQ5520-AU采用了DFN5060-8L封装,这种封装形式使得产品具有出色的散热性能和较小的占板面积。该产品在设计上充分考虑了用户的使用需求,通过优化内部结构,实现了低内阻和高电流承载能力的平衡。
应用领域
PJQ5520-AU凭借其优良的性能,在电动汽车、混合动力车、工业控制、电源管理等多个领域有着广泛的应用。特别是在需要高效能转换和低损耗的电路中,如电池管理系统、电机驱动和逆变器,该产品都表现出了出色的性能。
特征优势
PJQ5520-AU具有多项显著的特征优势。首先,其RDS(ON)值在VGS@10V,ID@20A条件下小于1.7mΩ,在VGS@4.5V,ID@20A条件下小于2.6mΩ,这保证了在低电压下也能实现高效的电流传输。其次,它采用了逻辑电平驱动,使得驱动电路设计更为简单。此外,产品还符合欧盟RoHS 2.0标准,采用了符合IEC 61249标准的绿色成型化合物,符合环保要求。
主要参数
以下是PJQ5520-AU的主要参数表格:
参数类别 | 参数描述 | 符号 | 限值 | 单位 |
---|---|---|---|---|
电压参数 | 漏源电压 | VDS | 30 | V |
栅源电压 | VGS | ±20 | V | |
电流参数 | 连续漏极电流(25℃) | ID | 152 | A |
连续漏极电流(100℃) | ID | 108 | A | |
脉冲漏极电流(25℃) | IDM | 608 | A | |
功耗参数 | 功耗(25℃) | PD | 79 | W |
功耗(100℃) | PD | 39.5 | W | |
温度参数 | 结温与存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
热阻参数 | 结至壳热阻 | RθJC | (具体数值请参照详细规格书) | ℃/W |
请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商