MOS管
强茂低压mos管PJQ4526P-AU
更新时间 2024-04-01 09:54
阅读
一、产品概述
PJQ4526P-AU是强茂公司推出的一款高性能30V N沟道增强型MOSFET,其采用DFN3333-8L封装,具有出色的电气特性和热稳定性。该产品在电路设计中,尤其是在需要高效、稳定的功率管理的场合中,表现出了优秀的性能和可靠性。
二、应用领域
PJQ4526P-AU因其卓越的性能和稳定性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护等多个领域。在电动汽车、工业自动化、通信设备以及消费电子产品中,都能见到它的身影。
三、特征优势
低RDS(ON):在VGS为10V,ID为10A的条件下,RDS(ON)小于5.5mΩ,有效地减少了功耗,提高了能源使用效率。
出色的热性能:具有较低的结到壳热阻(RθJC),确保在高功率应用中的温度稳定性。
逻辑电平驱动:使MOSFET能够在低电平信号下可靠地工作,便于电路设计和控制。
符合环保标准:产品符合欧盟RoHS 2.0标准,采用无铅设计,符合绿色环保要求。
AEC-Q101认证:表明产品通过了严格的汽车电子元件质量测试,适合汽车应用领域。
四、主要参数
以下是PJQ4526P-AU的主要参数:
参数名称 | 符号 | 极限值 | 单位 |
---|---|---|---|
漏源电压 | VDS | 30 | V |
栅源电压 | VGS | ±20 | V |
连续漏极电流(25℃) | ID | 65 | A |
连续漏极电流(100℃) | ID | 46 | A |
脉冲漏极电流(25℃) | IDM | 260 | A |
功耗(25℃) | PD | 37.5 | W |
功耗(100℃) | PD | 18.8 | W |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 28 | mJ |
结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
结到壳热阻 | RθJC | 4 | ℃/W |
请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商