MOS管
强茂低压MOS管PJD60N04S-AU
更新时间 2024-03-25 15:00
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一、产品概述
强茂MOS管PJD60N04S-AU是一款专为高电压、大电流应用设计的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它采用TO-252AA封装，具有出色的电气性能和热稳定性，适用于多种高功率电子设备的开关和控制。
二、应用领域
PJD60N04S-AU MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化、电动汽车以及新能源等领域。在要求高效能转换、快速响应以及可靠稳定的电力电子系统中，它发挥着不可或缺的作用。
三、特征优势
低导通电阻：在VGS为10V，ID为20A的条件下，RDS(ON)小于3.3mΩ，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
逻辑电平驱动：该MOS管支持逻辑电平驱动，使得电路设计更为简洁，降低了驱动电路的复杂性。
环保认证：符合欧盟RoHS 2.0标准，采用无铅设计，满足环保要求。
优秀的FOM（Figure of Merit）：优秀的性能指数意味着它在相同功率和封装尺寸下具有更优越的性能表现。
AEC-Q101认证：经过汽车电子委员会认证，适用于汽车级应用，确保在严苛环境下的稳定性和可靠性。
四、主要参数
以下是PJD60N04S-AU MOS管的主要参数，以表格形式呈现：
| 参数类别 | 参数描述 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 电压 | 漏源电压 | VDS | 40 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | |
| 电流 | 连续漏极电流（TC=25°C） | ID | 140 | A |
| 连续漏极电流（TC=100°C） | ID | 99 | A | |
| 脉冲漏极电流（TC=25°C） | IDM | 560 | A | |
| 功率 | 功率耗散（TC=25°C） | PD | 115 | W |
| 功率耗散（TC=100°C） | PD | 58 | W | |
| 温度 | 结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | °C |
| 热阻 | 结到壳热阻 | RθJC | 1. |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
