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强茂低压MOS管PJD60N04V-AU
更新时间 2024-03-26 15:43
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PJD60N04V-AU是一款专为高效能源转换设计的40V N-Channel增强型MOSFET,以其卓越的电气性能、可靠的稳定性及优良的热特性在低压电路领域中受到广泛关注。
应用领域
PJD60N04V-AU因其高电流处理能力、低导通电阻以及优异的热稳定性,广泛应用于电动汽车、工业自动化、通信设备、电源管理以及LED照明等领域。在这些应用中,它能够有效降低系统功耗,提高能源利用效率,为设备的稳定运行提供有力保障。
特征优势
- 低导通电阻:在VGS为10V、ID为20A的条件下,RDS(ON)小于2.7mΩ,有效减少热量产生,提升效率。
- 良好的电气特性:产品具有出色的FOM(Figure of Merit)值,保证在高电流、高电压环境下稳定工作。
- 标准电平驱动:与常规电路驱动电压相匹配,简化电路设计,提高系统集成度。
- 环保认证:符合AEC-Q101标准,且符合欧盟RoHS 2.0无铅要求,使用绿色成型化合物,满足环保需求。
主要参数
以下是PJD60N04V-AU的主要参数表格:
参数名称 | 符号 | 极限值 | 单位 |
---|---|---|---|
漏源电压 | VDS | 40 | V |
栅源电压 | VGS | ±20 | V |
连续漏极电流(25℃) | ID | 154 | A |
连续漏极电流(100℃) | ID | 109 | A |
脉冲漏极电流(25℃) | IDM | 616 | A |
功耗(25℃) | PD | 115 | W |
功耗(100℃) | PD | 58 | W |
结至壳热阻 | RθJC | 1.3 | - |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 125 | mJ |
工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
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