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强茂低压mos管PJD55N04S-AU
更新时间 2024-03-25 14:36
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强茂MOS管PJD55N04S-AU是一款专为高电压、大电流应用设计的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其卓越的电气特性使得它能在广泛的电路中起到关键的作用。
应用领域
PJD55N04S-AU MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：在电源转换和调节电路中，该MOSFET能够有效地控制电流的流动，实现高效的能量转换。
- 电机驱动：在电机控制系统中，它能够作为开关元件，实现对电机的精确控制。
- 汽车电子：在汽车电池管理系统、电机控制器等关键部件中，该MOSFET能够确保系统的稳定运行。
特征优势
PJD55N04S-AU MOSFET具备以下显著特点：
- 低RDS(ON)：在特定的栅极电压和漏极电流条件下，其导通电阻极低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
- 逻辑电平驱动：该MOSFET支持逻辑电平驱动，使得控制更为简便，降低了驱动电路的复杂性。
- 符合AEC-Q101标准：满足汽车电子可靠性要求，适用于严苛的汽车工作环境。
- 绿色环保：产品符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，符合环保要求。
主要参数
以下是PJD55N04S-AU MOSFET的主要电气参数：
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 40 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | ID | 87 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | ID | 61 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | IDM | 348 | A |
| 功率耗散（25℃） | PD | 71 | W |
| 功率耗散（100℃） | PD | 36 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 49 | mJ |
| 结温及存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
| 热阻（结到壳） | RθJC | 2.1 | - |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
