MOS管
强茂低压MOS管PJD30N04S-AU
更新时间 2024-03-19 10:58
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一、产品概述
强茂MOS管PJD30N04S-AU是一款高性能的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的工艺制造，具有出色的电气性能和热稳定性，适用于各种高功率、高效率的电子设备和系统。
二、应用领域
PJD30N04S-AU MOS管广泛应用于各种电力电子、工业控制、通信、汽车电子等领域。
在电力电子领域，它可用于电机驱动、电源管理、逆变器等方面；
在工业控制领域，它可用于自动化控制系统、传感器接口电路等；
在通信领域，它可用于信号放大、功率控制等方面；
在汽车电子领域，它可用于汽车电源管理、发动机控制等。
三、特征优势
- 低导通电阻：PJD30N04S-AU具有极低的导通电阻，能够降低功耗，提高系统效率。
- 高电流处理能力：该产品能够承受高电流冲击，保证电路的稳定运行。
- 优异的开关速度：PJD30N04S-AU具有快速的开关响应，能够满足高速电路的需求。
- AEC-Q101认证：产品符合汽车电子行业的严格标准，适用于汽车应用。
- 环保设计：采用无铅封装，符合欧盟RoHS 2.0标准，有利于环境保护。
四、主要参数
以下是PJD30N04S-AU MOS管的主要参数，以表格形式呈现：
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 额定电压 | VDS | 40 | V |
| 额定电流 | ID（TC=25℃） | 43 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 导通电阻（VGS=10V, ID=20A） | RDS(ON) | 10.6 | mΩ |
| 导通电阻（VGS=4.5V, ID=10A） | RDS(ON) | 14.6 | mΩ |
| 脉冲漏极电流（TC=25℃） | IDM | 172 | A |
| 封装形式 | Package | TO-252AA | - |
| 工作温度范围 | Tj | -55 to +150 | ℃ |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
