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强茂低压MOS管PJD25N04V-AU
更新时间 2024-03-19 10:19
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产品概述
PJD25N04V-AU是一款40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET,采用TO-252AA封装,具有出色的电气性能。其设计符合AEC-Q101标准,适用于汽车和其他高可靠性应用。
应用领域
由于PJD25N04V-AU的出色性能和可靠性,它广泛适用于电力电子、电机驱动、工业自动化、新能源等领域。特别是在需要高效、稳定功率控制的场合,如电动汽车、太阳能逆变器、UPS电源等,该产品能够发挥出其卓越的性能优势。
特征优势
PJD25N04V-AU具备多项显著优势。首先,其RDS(ON)在特定条件下的数值较低,有助于提高能效,降低功率损失。其次,它具有优异的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外,该产品还具备出色的电气隔离性能,有效保障系统的安全性。
主要参数
以下是PJD25N04V-AU的主要参数,以表格形式展示:
参数类别 | 参数名称 | 符号 | 极限值 | 单位 |
---|---|---|---|---|
电压参数 | 漏源电压 | VDS | 40 | V |
栅源电压 | VGS | ±20 | V | |
电流参数 | 连续漏极电流(25℃) | ID | 42 | A |
连续漏极电流(100℃) | ID | 30 | A | |
脉冲漏极电流(25℃) | IDM | 168 | A | |
功耗参数 | 功耗(25℃) | PD | 36 | W |
功耗(100℃) | PD | 18 | W | |
温度参数 | 结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
热阻参数 | 结到壳热阻 | RθJC | 4.2 | ℃/W |
请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商