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MOS管

强茂低压MOS管PJD25N04V-AU

更新时间  2024-03-19 10:19 阅读

产品概述

PJD25N04V-AU是一款40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET,采用TO-252AA封装,具有出色的电气性能。其设计符合AEC-Q101标准,适用于汽车和其他高可靠性应用。

强茂MOS管.jpg

应用领域

由于PJD25N04V-AU的出色性能和可靠性,它广泛适用于电力电子、电机驱动、工业自动化、新能源等领域。特别是在需要高效、稳定功率控制的场合,如电动汽车、太阳能逆变器、UPS电源等,该产品能够发挥出其卓越的性能优势。

特征优势

PJD25N04V-AU具备多项显著优势。首先,其RDS(ON)在特定条件下的数值较低,有助于提高能效,降低功率损失。其次,它具有优异的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外,该产品还具备出色的电气隔离性能,有效保障系统的安全性。

主要参数

以下是PJD25N04V-AU的主要参数,以表格形式展示:

参数类别参数名称符号极限值单位
电压参数漏源电压VDS40V

栅源电压VGS±20V
电流参数连续漏极电流(25℃)ID42A

连续漏极电流(100℃)ID30A

脉冲漏极电流(25℃)IDM168A
功耗参数功耗(25℃)PD36W

功耗(100℃)PD18W
温度参数结温和存储温度范围TJ,TSTG-55~175
热阻参数结到壳热阻RθJC4.2℃/W

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


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