MOS管
强茂超级mos管PJMH105N60FRC
更新时间 2024-08-05 08:48
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产品概述
强茂电子推出的PJMH105N60FRC是一款专为高性能电力电子应用设计的600V N型沟道超级结MOSFET，采用TO-247AD-3LD封装。
该MOSFET凭借其卓越的电气特性和热性能，在多种电力转换和电源管理系统中展现出强大的应用潜力，是提升系统效率和可靠性的理想选择。
应用领域
PJMH105N60FRC广泛适用于LLC谐振转换器、PSFB（Push-Pull Series Feedback）转换器、HB（Half Bridge）转换器及FB（Full Bridge）转换器等高端电力电子设备。其优化的设计使得它能够在高负载、高频率开关条件下稳定运行，满足各种复杂电力需求。
特征优势
低导通电阻
- R_DS(ON)最大值仅为105mΩ @ V_GS = 10V：显著降低导通损耗，提升整体能效。
快速恢复性能
- 优异的Qrr/Trr性能：加快开关过程，减少能量损失，提升系统响应速度。
高可靠性
- 100%雪崩测试：确保在高电压应力下的稳定性和安全性。
- 100%栅极电阻测试：保障栅极电路的一致性和长期可靠性。
环保设计
- 符合欧盟RoHS 2.0标准：无铅封装，符合全球环保法规要求。
- 绿色成型化合物：采用环保材料，减少对环境的影响。
高功率处理能力
- 最大连续漏极电流ID为35A（@T_C = 25°C）：支持大功率应用场景。
- 最大脉冲漏极电流IDM为90A：轻松应对瞬时高电流冲击。
主要参数
以下是PJMH105N60FRC的主要电气参数和机械特性：
| 参数类别 | 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV_DSS | V_GS = 0V, I_D = 10mA | 600 | - | 710 | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS = V_GS, I_D = 250uA | 4.3 | 4.8 | 5.8 | V |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS = 10V, I_D = 19.5A | - | 89 | 105 | mΩ |
| 零栅压漏电流 | I_DSS | V_DS = 600V, V_GS = 0V | - | - | 10 | μA |
| 栅源漏电流 | I_GSS | V_GS = ±30V, V_DS = 0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极电荷 | Q_g | V_DS = 480V, I_D = 19.5A, V_GS = 10V | - | 60 | - | nC |
| 反向恢复电荷 | Q_rr | I_S = 19.5A, V_DD = 400V, di/dt = 100A/μs | - | - | 0.86 | μC |
| 反向恢复时间 | T_rr | - | - | - | 139 | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
