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MOS管

强茂超级mos管PJMH125N60FRC

更新时间  2024-08-05 08:48 阅读

产品概述

强茂电子推出的PJMH125N60FRC是一款高性能的600V N型沟道超级结MOSFET,采用TO-247AD-3LD封装。该产品凭借其卓越的性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子领域,成为高效能源转换和管理的理想选择。


mos管.jpg

应用领域

U9彩票PJMH125N60FRC特别适合应用于LLC谐振转换器、PSFB(Push-Pull Series Feedback)转换器、HB(Half Bridge)转换器及FB(Full Bridge)转换器等高性能电力电子设备中。其优越的电气特性和热特性,确保了在高负载和高速开关应用中的稳定性和可靠性。

特征优势

低导通电阻

  • R_DS(ON)最大值仅为125mΩ @ V_GS = 10V:显著降低功耗,提升系统效率。

快速恢复性能

  • 优异的Qrr/Trr性能:减少开关过程中的能量损失,加快开关速度。

高可靠性

  • 100%雪崩测试:确保产品在高电压应力下的稳定性和耐用性。
  • 100%栅极电阻测试:保证栅极电路的一致性和可靠性。

环保设计

  • 符合欧盟RoHS 2.0标准:无铅设计,满足全球环保要求。
  • 绿色成型化合物:遵循IEC 61249标准,对环境友好。

高功率处理能力

  • 最大连续漏极电流ID为30A(@T_C = 25°C):支持大功率应用。
  • 最大脉冲漏极电流IDM为76A:应对瞬时高电流冲击。

主要参数

PJMH125N60FRC主要电气参数和机械特性:

参数类别参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
电气特性





漏源击穿电压BV_DSSV_GS = 0V, I_D = 10mA600--V
栅极阈值电压V_GS(th)V_DS = V_GS, I_D = 250uA4.34.85.8V
漏源导通电阻R_DS(on)V_GS = 10V, I_D = 12A-108125
零栅压漏电流I_DSSV_DS = 600V, V_GS = 0V--10μA
栅源漏电流I_GSSV_GS = ±30V, V_DS = 0V--±100nA
栅极电荷Q_gV_DS = 480V, I_D = 22A, V_GS = 10V-49-nC
反向恢复电荷Q_rrI_S = 22A, V_DD = 400V, di/dt = 100A/μs--0.7μC
反向恢复时间T_rr---129ns

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商。