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强茂MOS管PJA3472B-AU应用及规格参数
更新时间 2024-02-26 10:06
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强茂N沟道增强型MOSFET——PJA3472B-AU。这款MOSFET采用沟槽工艺技术，专为继电器驱动、速度线驱动等应用设计。其独特的特性使其在电子行业中具有广泛的应用前景。
应用领域
PJA3472B-AU的出色性能使其非常适合在多种场合中使用。无论是在汽车电子设备、通信设备、工业控制，还是在消费电子产品中，这款MOSFET都能提供稳定、高效的性能。特别是在需要高速开关和低功耗的场合，PJA3472B-AU更是表现出色。
特征优势
- 低RDS(ON)：在VGS为10V，ID为600mA时，RDS(ON)小于3Ω；在VGS为4.5V，ID为200mA时，RDS(ON)小于4Ω。这使得PJA3472B-AU在导通状态下具有较低的电阻，从而减少了能量损耗。
- 高效散热：其热阻（RθJA）为250℃/W，保证了在高功率运行时，MOSFET能够迅速散热，保持稳定的性能。
- 绿色环保：PJA3472B-AU符合欧盟RoHS 2.0标准，使用无铅材料制造，符合环保要求。
- AEC-Q101认证：该产品已通过AEC-Q101汽车级可靠性认证，适用于汽车电子产品。
主要参数
以下是PJA3472B-AU的主要参数表格：
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 60 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 300 | mA |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 1200 | mA |
| 功率损耗（TA=25℃） | PD | 500 | mW |
| 功率损耗（超过25℃时的降额） | PD | 4 | mW/℃ |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 热阻（结到环境） | RθJA | 250 | ℃/W |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
