MOS管
强茂MOS管PJQ1908-AU技术规格与应用解析
更新时间 2024-02-26 09:58
阅读
产品概述
强茂MOS管PJQ1908-AU是一款采用N沟道的增强型MOSFET。它以其出色的性能和可靠性，在开关应用中发挥着重要作用。下面将详细介绍其主要参数、特性、应用领域以及封装信息。
主要参数
以下表格展示了PJQ1908-AU的关键参数：
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 额定电压 | VDSS | 50 | V |
| 额定电流 | ID | 500 | mA |
| 漏源极导通电阻 | RDS(ON) | - | Ω |
| 栅源极电压 | VGS | ±20 | V |
特性与优势
低RDS(ON)值：通过先进的沟槽工艺技术，PJQ1908-AU实现了更低的RDS(ON)值，提高了导电效率。
高ESD保护：该MOSFET具备2KV的HBM ESD保护能力，有效防止静电放电对设备的损害。
汽车级可靠性：PJQ1908-AU已通过AEC-Q101认证，适用于汽车电子设备，确保高可靠性。
环保无铅：符合欧盟RoHS 2.0标准，采用无铅材料制造，对环境友好。
应用领域
PJQ1908-AU广泛应用于各种开关应用，特别适合汽车电子、电源管理、电机驱动等领域。其紧凑的封装和出色的性能使其成为高密度、高集成电路设计的理想选择。
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
