为了满足汽车电子系统日益增长的性能需求，PANJIT近日推出了全新的P沟道和N沟道MOSFET系列产品。

新款P沟道MOSFET

新款P沟道MOSFET以其175°C的高工作结温，为汽车电子系统的稳定性和耐久性提供了坚实保障。

U9彩票同时，通过优化RDS(ON)，这些元件能够显著降低传导损耗，提高能效。

U9彩票此外，静电保护（ESD）功能的加入，进一步增强了产品的可靠性和安全性。

在封装方面，PANJIT提供了多种选择，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263以及专为高电流应用设计的TO-263-7L封装。

N沟道功率MOSFET

还有推出的N沟道功率MOSFET采用了领先的沟槽技术，大幅提升了性能系数（FOM），并降低了RDS(ON)和电容，从而实现了更高的能效和更快的开关速度。

强茂的低压MOSFET系列，不仅简化了电源设计电路，更以其卓越的性能和可靠性，满足了汽车设计工程师的严苛要求。

主要特性概览

30V和40V汽车级P沟道MOSFET

• P沟道增强型逻辑电平MOSFET

• U9彩票低RDS(ON)，减少传导损耗

• 低热阻封装，高效散热

• 100%通过UIS测试

• 静电保护（ESD）功能，提升安全性

• AEC-Q101认证，符合PPAP标准

• 高工作结温达175°C

• U9彩票提供高电流TO-263-7L封装选项

  
  

  
  

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30V和40V汽车级N沟道MOSFET

• 低RDS(ON)，降低传导损耗

• U9彩票低FOM，最小化驱动器损耗

• 兼容标准和逻辑电平

• AEC-Q101认证，满足PPAP要求

• U9彩票耐受高达175°C的工作结温

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