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亿光直插高速光耦6N137规格与应用电路

更新时间  2015-04-16 15:22 阅读

  亿光6N137U9彩票的内部结构原理如下图所示,信号从脚2和脚3输入,发光二极管发光,经片内光通道传到光敏二极管,反向偏置的光敏管光照后导通,经电流-电压转换后送到与门的一个输入端,与门的另一个输入为使能端,当使能端为高时与门输出高电平,经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时,输出高电平,但这个逻辑高是集电极开路的,可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。

U9彩票   单通道:6N137,EL2601,EL2611

  双通道:EL2630,EL2631

U9彩票   高速10MBit/s的逻辑门光电


  原理如上图所示,若以脚2 为输入,脚3 接地,则真值表如附表所列,这相当于非门的传输,若希望在传输过程中不改变逻辑状态,则从脚3 输入,脚2 接高电平。
亿光光耦6N137真值表 功能(正逻辑)
 

Input
输入
Enable
使能
Output
输出
H H L
L H H
H L H
L L H
H NC L
L NC H


 

 

绝对最大额定值(Ta= 25 °C除非另有说明)
 

Symbol
符号
Parameter 参数 Value数值 Units
单位
TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -55 to +125 C
TOPR Operating Temperature 操作温度 -40 to +85 C
TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度 260 for 10sec C
EMITTER发送端
IF DC/Average Forward直流/平均正向 单通道 50 mA
Input Current输入电流 双通道(每通 道) 30
VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 单通道 5. 5 V
VR Reverse Input Voltage 反向输入电压 每个通道 5. 0 V
PI Power Dissipation 功耗 单通道 100 mW
双通道(每通 道) 45
DETECTOR接收端
VCC (1 minute max) Supply Voltage 电源电压   7. 0 V
IO Output Current 输出电流 单通道 50 mA
双通道(每通 道) 50
VO Output Voltage 输出电压 每个通道 7. 0 V
PO Collector Output集电极输出 单通道 85 mW
Power Dissipation 功耗 双通道(每通 道) 60


 
 
建议操作条件
 

Symbol
符号
Parameter 参数 最小 最大 Units
单位
IFL Input Current, Low Level 输入电流,低电平 0 250 uA
IFH Input Current, High Level 输入电流,高电平 *6. 3 15 mA
VCC Supply Voltage, Output 供电电压,输出 4. 5 5.5 V



 

VEL Enable Voltage, Low Level 使能电压,低电平 0 0. 8 V
VEH Enable Voltage, High Level 使能电压,高电平 2. 0 VCC V
TA 工作温度范围 -40 +85 °C
N Fan Out (TTL load)扇出期(TTL 负载)   8  


 
电学特性(Ta=070,除非另有规定)单独的组件特征:
 

Symbol
符号
Parameter 参数 测试条件
典型 最大 单位
VF Input Forward Voltage 输入正向电压 IF = 10mA       1.8 V
TA=25C   1.4 1.75
BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压 IR = 10u A 5. 0     V
CIN Input Capacitance 输入电容 VF = 0, f = 1MHz   60   pF
AVF / ATA Input Diode Temperature Coefficient输入二极管温度系数 IF = 10mA   -1.4   mV/C
DETECTOR接收端
ICCH High Level Supply Current高电源电流 VCC = 5. 5V, IF = 0mA, VE = 0. 5V 单通道   7 10 mA
双通道   10 15
ICCL Low Level Supply Current低电平电源电流 单通道 VCC=5. 5V, IF = 10mA   9 13 mA
双通道 VE = 0. 5V   14 21
IEL Low Level Enable Current低电平使能电流 VCC = 5. 5V, VE = 0. 5V   -0. 8 -1.6 mA
IEH High Level Enable Current高电平使能电流 VCC = 5. 5V, VE = 2. 0V   -0. 6 -1.6 mA
VEH High Level Enable Voltage高电平使能电压 VCC = 5. 5V, IF = 10mA 2. 0     V
VEL Low Level Enable Voltage低电平使能电压 VCC = 5. 5V, IF = 10mA (3)     0.8 V

 
开关特性(TA= -40°C to +85°C, VCC= 5V, IF= 7. 5mA 除非另有说明):
 

Symbol
符号
AC Characteristics 交流特性 测试条件 最小 典型
单位
TPHH Propagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间 到高电平输出 RL=350Q,CL=15pF(4) (Fig. 12) TA=25C 20 45 75 ns
      100
TPHL Propagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间 到低电平输出 TA = 25C (5) 25 45 75 ns
RL = 350Q, CL = 15pF (Fig. 12)     100
|TPHL
TPLH|
Pulse Width Distortion脉宽失真 (RL = 350Q, CL = 15pF (Fig. 12)   3 35 ns
tr Output Rise Time (10-90%)输出上升时 间(10-90 % ) RL = 350Q, CL = 15pF(6) (Fig. 12)   50   ns
tf Output Rise Time (90- 10%)输出上升时 间( 90-10 % ) RL = 350Q, CL = 15pF(7) (Fig. 12)   12   ns
tELH Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输 出 IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL =350Q, CL = 15pF(8) (Fig. 13)   20   ns
tEHL Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level允许传播延迟时间到低电平输 出 IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL =350Q, CL = 15pF(9) (Fig. 13)   20   ns
CMH Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level)共模瞬态抑制 比(输出高电平) TA=25C
VCM=50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.) = 2. 0V, RL = 350 Q (10) (Fig. 14)
6N137
EL2630
  10, 000   V/us
EL2601
EL2631
5000 10, 000  
VCM = 400V EL2611 10, 000 15, 000   V/us
CML Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level)共模瞬态抑制 RL = 350Q, IF = 7.5mA, VOL (Max.) = 0. 8V, TA = 25C (11) (Fig. 14) 6N137
EL2630
  10, 000  
EL2601
EL2631
5000 10, 000  


 
电气特性(续)转移特性(TA = -40 to +85°C除非另有说明)
 

Symbol
符号
DC Characteristics 直流特性 测试条件 最小 典型 最大 Unit
单位
IOH HIGH Level Output Current 高输出电流 VCC = 5. 5V, VO = 5. 5V, IF=250uA, VE = 2.0V (2)     100 uA
VOL LOW Level Output Current低电平输出电流 VCC = 5. 5V, IF = 5mA, VE = 2. 0V, ICL = 13mA(2)   .35 0. 6 V
IFT Input Threshold Current 输入阈值电流 VCC = 5. 5V, VO = 0. 6V, VE =2. 0V, IOL = 13mA   3 5 mA


 
隔离特性(Ta= -40°C+85° C,除非另有说明.):
 

Symbol
符号
Characteristics 特性 测试条件 最小
最大 Unit
单位
II-O Input-Output Insulation Leakage Current
输入输出绝缘泄漏电流
相对湿度=45%, TA= 25C, t = 5s, VI-O = 3000VDC(12)     1. 0* uA
VISO Withstand Insulation Test Voltage
经受绝缘测试电压)
RH < 50%, TA =25C, II-O ^ 2uA,t = 1 min. (12) 2500     VRMS
RI-O Resistance (Input to Output)
电阻输入输出
VI-O = 500V(12)   1012   Q
CI-O Capacitance (Input to Output)
电容(输入输 出)
f = 1MHz(12)   0. 6   pF



光耦
 亿光光耦6N137真值表 功能(正逻辑)


Input
输入
Enable
使能
Output
输出
H H L
L H H
H L H
L L H
H NC L
L NC H

 

 

绝对最大额定值(Ta= 25 °C除非另有说明)

Symbol
符号
Parameter 参数 Value数值 Units
单位
TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -55 to +125 C
TOPR Operating Temperature 操作温度 -40 to +85 C
TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度 260 for 10sec C
EMITTER发送端
IF DC/Average Forward直流/平均正向 单通道 50 mA
Input Current输入电流 双通道(每通 道) 30
VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 单通道 5. 5 V
VR Reverse Input Voltage 反向输入电压 每个通道 5. 0 V
PI Power Dissipation 功耗 单通道 100 mW
双通道(每通 道) 45
DETECTOR接收端
VCC (1 minute max) Supply Voltage 电源电压   7. 0 V
IO Output Current 输出电流 单通道 50 mA
双通道(每通 道) 50
VO Output Voltage 输出电压 每个通道 7. 0 V
PO Collector Output集电极输出 单通道 85 mW
Power Dissipation 功耗 双通道(每通 道) 60

 
 
建议操作条件

Symbol
符号
Parameter 参数 最小 最大 Units
单位
IFL Input Current, Low Level 输入电流,低电平 0 250 uA
IFH Input Current, High Level 输入电流,高电平 *6. 3 15 mA
VCC Supply Voltage, Output 供电电压,输出 4. 5 5.5 V



VEL Enable Voltage, Low Level 使能电压,低电平 0 0. 8 V
VEH Enable Voltage, High Level 使能电压,高电平 2. 0 VCC V
TA 工作温度范围 -40 +85 °C
N Fan Out (TTL load)扇出期(TTL 负载)   8  

 
电学特性(Ta=070,除非另有规定)单独的组件特征:

Symbol
符号
Parameter 参数 测试条件
典型 最大 单位
VF Input Forward Voltage 输入正向电压 IF = 10mA       1.8 V
TA=25C   1.4 1.75
BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压 IR = 10u A 5. 0     V
CIN Input Capacitance 输入电容 VF = 0, f = 1MHz   60   pF
AVF / ATA Input Diode Temperature Coefficient输入二极管温度系数 IF = 10mA   -1.4   mV/C
DETECTOR接收端
ICCH High Level Supply Current高电源电流 VCC = 5. 5V, IF = 0mA, VE = 0. 5V 单通道   7 10 mA
双通道   10 15
ICCL Low Level Supply Current低电平电源电流 单通道 VCC=5. 5V, IF = 10mA   9 13 mA
双通道 VE = 0. 5V   14 21
IEL Low Level Enable Current低电平使能电流 VCC = 5. 5V, VE = 0. 5V   -0. 8 -1.6 mA
IEH High Level Enable Current高电平使能电流 VCC = 5. 5V, VE = 2. 0V   -0. 6 -1.6 mA
VEH High Level Enable Voltage高电平使能电压 VCC = 5. 5V, IF = 10mA 2. 0     V
VEL Low Level Enable Voltage低电平使能电压 VCC = 5. 5V, IF = 10mA (3)     0.8 V
 
开关特性(TA= -40°C to +85°C, VCC= 5V, IF= 7. 5mA 除非另有说明):

Symbol
符号
AC Characteristics 交流特性 测试条件 最小 典型
单位
TPHH Propagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间 到高电平输出 RL=350Q,CL=15pF(4) (Fig. 12) TA=25C 20 45 75 ns
      100
TPHL Propagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间 到低电平输出 TA = 25C (5) 25 45 75 ns
RL = 350Q, CL = 15pF (Fig. 12)     100
|TPHL
TPLH|
Pulse Width Distortion脉宽失真 (RL = 350Q, CL = 15pF (Fig. 12)   3 35 ns
tr Output Rise Time (10-90%)输出上升时 间(10-90 % ) RL = 350Q, CL = 15pF(6) (Fig. 12)   50   ns
tf Output Rise Time (90- 10%)输出上升时 间( 90-10 % ) RL = 350Q, CL = 15pF(7) (Fig. 12)   12   ns
tELH Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输 出 IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL =350Q, CL = 15pF(8) (Fig. 13)   20   ns
tEHL Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level允许传播延迟时间到低电平输 出 IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL =350Q, CL = 15pF(9) (Fig. 13)   20   ns
CMH Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level)共模瞬态抑制 比(输出高电平) TA=25C
VCM=50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.) = 2. 0V, RL = 350 Q (10) (Fig. 14)
6N137
EL2630
  10, 000   V/us
EL2601
EL2631
5000 10, 000  
VCM = 400V EL2611 10, 000 15, 000   V/us
CML Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level)共模瞬态抑制 RL = 350Q, IF = 7.5mA, VOL (Max.) = 0. 8V, TA = 25C (11) (Fig. 14) 6N137
EL2630
  10, 000  
EL2601
EL2631
5000 10, 000  

 
电气特性(续)转移特性(TA = -40 to +85°C除非另有说明)

Symbol
符号
DC Characteristics 直流特性 测试条件 最小 典型 最大 Unit
单位
IOH HIGH Level Output Current 高输出电流 VCC = 5. 5V, VO = 5. 5V, IF=250uA, VE = 2.0V (2)     100 uA
VOL LOW Level Output Current低电平输出电流 VCC = 5. 5V, IF = 5mA, VE = 2. 0V, ICL = 13mA(2)   .35 0. 6 V
IFT Input Threshold Current 输入阈值电流 VCC = 5. 5V, VO = 0. 6V, VE =2. 0V, IOL = 13mA   3 5 mA

 
隔离特性(Ta= -40°C+85° C,除非另有说明.):

Symbol
符号
Characteristics 特性 测试条件 最小
最大 Unit
单位
II-O Input-Output Insulation Leakage Current
输入输出绝缘泄漏电流
相对湿度=45%, TA= 25C, t = 5s, VI-O = 3000VDC(12)     1. 0* uA
VISO Withstand Insulation Test Voltage
经受绝缘测试电压)
RH < 50%, TA =25C, II-O ^ 2uA,t = 1 min. (12) 2500     VRMS
RI-O Resistance (Input to Output)
电阻输入输出
VI-O = 500V(12)   1012   Q
CI-O Capacitance (Input to Output)
电容(输入输 出)
f = 1MHz(12)   0. 6   pF


光耦

U9彩票   光藕隔离器6N137典型应用如图1所示。输入端有A、B两种接法,分别得到反相或同相逻辑传输,其中RF为限流电阻。发光二极管正向电流0-250μA,光敏管不导通;发光二极管正向压降1.2-1.7V(典型1.4V),正向电流6.3-15mA,光敏管导通。若以B方法连接,TTL电平输入,Vcc为5V时,RF可选500_左右。如果不加限流电阻或阻值很小,6N137仍能工作,但发光二极管导通电流很大对Vcc1有较大冲击,尤其是数字波形较陡时,上升、下降沿的频谱很宽,会造成相当大的尖峰脉冲噪声,而通常印刷电路板的分布电感会使地线吸收不了这种噪声,其峰-峰值可达100mV以上,足以使模拟电路产生自激。所以在可能的情况下,RF应尽量取大。

  输出端供电Vcc2=4.5~5.5V。在Vcc2(脚8)和地(脚5)之间必须接一个0.1μF 高频特性良好的电容,如瓷介质或钽电容,而且应尽量放在脚5和脚8附近(不要超过1cm)。这个电容可以吸收电源线上的纹波,又可以减小光电隔离器接受端开关工作时对电源的冲击。脚7是使能端,当它在0-0.8V 时强制输出为高(开路);当它在2.0V-Vcc2 时允许接收端工作。脚6是集电极开路输出端,通常加上拉电阻RL。虽然输出低电平时可吸收电路达13mA,但仍应当根据后级输入电路的需要选择阻值。因为电阻太小会使6N137 耗电增大,加大对电源的冲击,使旁路电容无法吸收,而干扰整个模块的电源,甚至把尖峰噪声带到地线上。一般可选4.7k_,若后级是TTL输入电路,且只有1到2个负载,则用47k_或15k_也行。CL是输出负载的等效电容,它和RL影响器件的响应时间,当RL=350_,CL=15pF时响应延迟为25-75ns。

U9彩票   亿光代理商超毅电子是亿光的15年合作伙伴,拥有着丰富的亿光光耦的市场经验,因此,如果对于光耦的相关应用资料跟规格参数,可直接联系超毅,超毅电子会为您提供最专业的技术支持。免费咨询热线4008-800-932。