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MOS管

强茂超级mos管PJMP105N60FRC

更新时间  2024-08-08 08:48 阅读

产品概述

PJMP105N60FRC是一款专为高压、高功率应用设计的600V N沟道超级结MOSFET。


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U9彩票它采用TO-220AB-L封装,具有低导通电阻(R DS(ON))和高速开关性能,是电力转换、电机驱动及电源管理领域的理想选择。


该产品符合欧盟RoHS 2.0标准,采用环保绿色成型化合物,满足现代工业对环保和高效能的要求。

应用领域

U9彩票PJMP105N60FRC广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于:

  • LLC谐振转换器:在高频电力转换中,提供高效能、低损耗的解决方案。
  • PSFB(正激反馈)和HB(半桥)电源:在电源管理系统中,实现电压的精确调节与高效转换。
  • FB(全桥)电路:在电机驱动、逆变器等大功率应用中,提供稳定可靠的电力控制。

特征优势

  • 低导通电阻(R DS(ON)):在V GS = 10V时,最大仅为105mΩ,有效降低功率损耗,提升系统效率。
  • 高速开关性能:具备快速恢复特性(Qrr/Trr),加快电路响应速度,满足高频开关需求。
  • 高可靠性:经过100%雪崩测试和门极电阻(Rg)测试,确保产品在高应力环境下的稳定运行。
  • 环保设计:符合RoHS 2.0标准,使用绿色成型化合物,符合现代工业环保要求。

主要参数


参数符号最小值典型值最大值单位
漏源击穿电压(@T_jmax)V_DS-710700V
栅源电压V_GS-±30-V
连续漏极电流(T_C = 25°C)I_D--35A
连续漏极电流(T_C = 100°C)I_D--22A
脉冲漏极电流(T_C = 25°C)I_DM--90A
栅阈值电压(V_DS = V_GS, I_D = 250uA)V_GS(th)4.34.85.8V
漏源导通电阻(V_GS = 10V, I_D = 19.5A)R_DS(on)-89105
零栅压漏极电流(V_DS = 600V, V_GS = 0V)I_DSS--10uA
栅源漏电流(V_GS = ±30V, V_DS = 0V)I_GSS--±100nA
总栅极电荷(V_DS = 480V, I_D = 19.5A)Q_g-60-nC
栅源电荷Q_gs-22-nC
栅漏电荷Q_gd-24-nC

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


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