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MOS管

强茂超级mos管PJMF105N60FRC

更新时间  2024-08-07 08:48 阅读

产品概述

PJMF105N60FRC是一款专为高性能应用设计的600V N沟道超级结MOSFET,采用ITO-220AB-F封装,凭借其低导通电阻(Rds(on))和快速恢复特性,为用户提供了卓越的电气性能。


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该产品严格遵循欧盟RoHS 2.0标准,确保环保无污染,并采用符合IEC 61249标准的绿色塑封化合物,满足现代电子制造业对环保和高质量的要求。

应用领域

PJMF105N60FRC因其出色的电气特性,广泛应用于多种电力电子转换系统中,包括但不限于LLC谐振变换器、PSFB(正激反激)变换器、HB(半桥)和FB(全桥)拓扑结构中。

在这些应用中,它能够显著提升系统的转换效率和稳定性,降低功耗和热量产生,从而延长设备的使用寿命。

特征优势

  • 低导通电阻:Rds(on)最大值仅为105mΩ(在Vgs=10V时),有效降低导通损耗,提升系统效率。
  • 快速恢复特性:Qrr/Trr性能优异,加快反向恢复速度,减少开关过程中的能量损耗。
  • 高速开关能力:适合高频开关应用,提升系统响应速度和控制精度。
  • 全面测试保证:100%经过雪崩测试和栅极电阻(Rg)测试,确保产品可靠性。
  • 环保材料:采用无铅封装,符合RoHS标准,绿色环保。
  • 广泛温度范围:支持-55°C至150°C的工作结温和存储温度范围,适应各种恶劣环境。

主要参数

参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏源击穿电压BV DSSVgs=0V, Id=10mA600-710V
栅极阈值电压Vgs(th)Vds=Vgs, Id=250uA4.34.85.8V
漏源导通电阻Rds(on)Vgs=10V, Id=19.5A (Note 1)-89105
零栅压漏电流I DSSVds=600V, Vgs=0V--10μA
栅源漏电流I GSSVgs=±30V, Vds=0V--±100nA
总栅极电荷QgVds=480V, Id=19.5A, Vgs=10V--60nC
输入电容CissVds=400V, Vgs=0V, f=250kHz--2995pF
输出电容Coss---70pF
反向传输电容Crss---20pF
有效输出电容能量相关电容Co(er)Vds=0V至400V, Vgs=0V, f=250kHz (Note 4)--116
开通延迟时间td(on)Vdd=300V, Id=19.5A, Vgs=10V, Rg=25Ω (Note 2)--108ns
开通上升时间tr---95ns
关断延迟时间td(off)---175ns
关断下降时间tf---49ns
栅极电阻Rgf=1.0MHz--11Ω
最大连续漏源二极管正向电流Is---35A
二极管正向电压VsdIs=19.5A, Vgs=0V-0.951.5V
反向恢复电荷QrrIs=19.5A, Vdd=400V, di/dt=100A/μs--0.86μC
反向恢复时间Trr---139ns

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商。