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MOS管

强茂超级mos管PJMB105N60FRC

更新时间  2024-08-06 08:48 阅读

产品概述

强茂电子推出的PJMB105N60FRC是一款专为高性能电力电子应用设计的600V N型沟道超级结MOSFET。


MOSFET.jpg


PJMB105N60FRC不仅具备低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,还通过严格的质量控制和测试流程,确保了产品的长期稳定性和耐用性。

应用领域

PJMB105N60FRC广泛应用于各种电力转换场景,特别适合LLC、PSFB、HB和FB等高效率电力转换系统中。其卓越的性能和可靠性使得该产品在工业控制、电源供应、电动汽车、可再生能源发电等领域得到了广泛应用,成为提升系统整体效率和可靠性的关键组件。

特征优势

  • 低导通电阻:PJMB105N60FRC在栅极电压为10V时,最大导通电阻(Rds(on))仅为105mΩ,有效降低了功率损耗,提高了系统效率。
  • 快速恢复特性:产品具有出色的快速恢复特性,包括反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(Trr),有助于减少开关过程中的能量损失和电磁干扰。
  • 高速开关能力:高dv/dt承受能力确保了MOSFET在高频开关应用中的稳定性,同时低栅极电荷(Qg)进一步加快了开关速度,提升了系统响应能力。
  • 严格的质量控制:所有产品均经过100%雪崩测试和栅极电阻(Rg)测试,确保每一颗MOSFET都能在高应力环境下稳定工作,延长了使用寿命。
  • 环保设计:符合欧盟RoHS 2.0指令,采用无铅封装和绿色成型化合物,满足现代电子产品对环保的要求。

主要参数

U9彩票以下是PJMB105N60FRC的主要技术参数:


参数名称符号测试条件典型值最大值单位
静态参数




漏源击穿电压BVdssVgs=0V, Id=10mA600710V
栅极阈值电压Vgs(th)Vds=Vgs, Id=250uA4.85.8V
漏源导通电阻Rds(on)Vgs=10V, Id=19.5A89105
零栅压漏电流IdssVds=600V, Vgs=0V-10μA
栅源漏电流IgssVgs=±30V, Vds=0V-±100nA
动态参数




总栅极电荷QgVds=480V, Id=19.5A, Vgs=10V-60nC
栅源电荷Qgs--22nC
栅漏电荷Qgd--24nC
输入电容CissVds=400V, Vgs=0V, f=250kHz-2995pF
输出电容Coss--70pF
反向转移电容Crss--20pF
开关时间




开通延迟时间td(on)Vdd=300V, Id=19.5A, Vgs=10V, Rg=25Ω-108ns
上升时间tr--95ns
关断延迟时间td(off)--175ns
下降时间tf--49ns
热特性




结到壳热阻RθJC--0.38°C/W
结到环境热阻RθJA--62.5°C/W
其他参数




最大连续漏电流(25°C)IdTc=25°C-35A
最大脉冲漏电流(25°C)IdmTc=25°C-90A
单脉冲雪崩能量EasID=8.6A; VDD=50V; L=20mH-738mJ
MOSFET dv/dt承受能力dv/dtVds=0…400V-120V/ns
反向二极管dv/dt承受能力-Vds=0…400V, Isd=19.5A-100V/ns
最大二极管换向速度dif/dt--1200A/μs
最大功耗(25°C)PdTc=25°C-329W
最大功耗(100°C)-Tc=100°C-132W
工作结温和存储温度范围Tj, Tstg--55150°C

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。

如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商。