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MOS管

强茂超级MOSFET管PJMK040N60EC

更新时间  2024-08-02 08:46 阅读

产品概述

强茂电子推出的PJMK040N60EC是一款高性能的600V N沟道超级结MOSFET,专为高效能电力转换系统而设计。


强茂mos管.jpg


U9彩票采用TO-247AD-4L封装,这款MOSFET凭借其卓越的电气特性和高可靠性,在电力电子领域中备受青睐。


本文将详细介绍PJMK040N60EC的产品特点、应用领域、特征优势以及主要技术参数。

应用领域

U9彩票PJMK040N60EC因其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于多个关键领域,包括但不限于:

  • 服务器电源:为数据中心和云计算环境提供高效、稳定的电力支持。
  • 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,负责直流到交流的转换,提高能源转换效率。
  • 电信电源:为通信设备提供可靠、稳定的电力保障,确保通信网络稳定运行。

特征优势

高效率与低导通电阻

  • 低R DS(ON):在V GS=10V时,最大导通电阻仅为40mΩ,有助于减少功率损耗,提高整体系统效率。
  • 高速开关性能:快速开关特性使得PJMK040N60EC能够在高频应用中保持高效率。

耐用性与可靠性

  • 100%雪崩测试:确保产品在高应力条件下仍能稳定运行,提升产品的耐用性。
  • 100% Rg测试:确保栅极电阻的一致性,减少故障率,提高产品可靠性。

环保与绿色

  • 无铅设计:符合欧盟RoHS 2.0标准,为环保贡献一份力量。
  • 绿色成型化合物:符合IEC 61249标准,保证产品的绿色无污染。

主要参数

以下是PJMK040N60EC的主要技术参数:


参数符号最小值典型值最大值单位
漏源击穿电压(@Tjmax)V DS--650V
栅源电压V GS-30-30V
连续漏极电流(@25°C)I D--71A
连续漏极电流(@100°C)I D--45A
脉冲漏极电流(@25°C)I DM--212A
单脉冲雪崩能量E AS--1950mJ
MOSFET dv/dt承受能力dv/dt--120V/ns
反向二极管dv/dtdv/dt--100V/ns
最大二极管换向速度diF/dt--1200A/μs
功耗(@25°C)P D--500W
功耗(@100°C)P D--200W
热阻(结到壳)R θJC--0.25°C/W
热阻(结到环境)R θJA--50°C/W
导通电阻(@V GS=10V, I D=40.5A)R DS(on)-3440
零栅压漏电流I DSS--1μA

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


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