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强茂低压MOS管PJD75N04V-AU
更新时间 2024-03-28 10:15
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强茂的PJD75N04V-AU是一款高性能的40V N沟道增强型MOSFET，采用TO-252AA封装。这款产品凭借其在电性参数方面的优秀表现，满足了各类电力电子应用的需求，特别是在需要高效能、高可靠性的领域中。
应用领域
PJD75N04V-AU广泛应用于各类电源管理、电机驱动、汽车电子、工业控制等领域。其出色的电气特性使得它成为这些领域中高效能、低功耗解决方案的理想选择。
特征优势
PJD75N04V-AU具有多项显著的特征优势。首先，它拥有极低的RDS(ON)值，在VGS为10V、ID为20A的条件下，RDS(ON)小于2.1mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，它符合AEC-Q101标准，证明了其在汽车电子领域的可靠性和稳定性。此外，该产品还采用无铅设计，符合欧盟RoHS 2.0标准，符合绿色环保要求。
主要参数
以下是PJD75N04V-AU的主要参数列表：
| 参数类别 | 参数描述 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 电压参数 | 漏源电压 | VDS | 40 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | |
| 电流参数 | 连续漏极电流（25℃） | ID | 181 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | ID | 128 | A | |
| 脉冲漏极电流（25℃） | IDM | 634 | A | |
| 功率参数 | 功率耗散（25℃） | PD | 125 | W |
| 功率耗散（100℃） | PD | 63 | W | |
| 热阻参数 | 结到壳热阻 | RθJC | - | ℃/W |
| 其他参数 | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 233 | mJ |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
