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强茂MOS管2N7002KDW，N沟道增强型MOSFET
更新时间 2024-02-27 11:21
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一、产品概述
强茂MOS管2N7002KDW是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，专为电池供电系统及其他低功耗应用而设计。该产品采用优质的材料和先进的工艺制造而成，确保了高可靠性和长寿命。其优秀的电气性能和稳定的工作状态，使得2N7002KDW在众多电子元件中脱颖而出。
二、应用领域
强茂MOS管2N7002KDW广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于固态继电器驱动、显示器驱动、灯具控制、电磁阀控制以及存储器驱动等。在电池供电的系统中，它更是发挥着举足轻重的作用，有效提升了系统的整体性能和稳定性。
三、特征优势
- 低导通电阻：2N7002KDW采用了独特的沟槽工艺技术和高密度单元设计，使得其导通电阻极低，从而降低了功耗，提高了效率。
- 低泄漏电流：在关闭状态下，该产品的泄漏电流非常低，有助于减少能量损失，延长设备使用寿命。
- 静电防护：2N7002KDW具备2KV的人体模型静电防护能力，有效降低了静电对产品的损害风险。
- 环保设计：产品符合欧盟RoHS指令要求，采用无铅设计，对环境友好。
四、主要参数
以下是强茂MOS管2N7002KDW的主要参数表格：
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 最大直流电流 | ID | 500mA | mA |
| 栅源电压 | VGS | -20V~+20V | V |
| 漏源电压 | VDS | 60V | V |
| 导通电阻（VGS=10V） | RDS(on) | 3Ω | Ω |
| 导通电阻（VGS=4.5V） | RDS(on) | 4Ω | Ω |
| 工作温度范围 | TA | -55℃~+150℃ | ℃ |
| 静电防护能力 | ESD | 2KV HBM |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
